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氮化铝工业陶瓷——如此优秀的材料

编辑:科众工业陶瓷厂 日期:20-07-30 阅读:102次

大家都知道氮化铝工业陶瓷具有室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力强、介电性能良好高密度,主要是无毒。完美用于大功率,多芯片组件等半导体器件和大功率,高亮度的LED基板及封装材料的关键材料,被 ...

大家都知道氮化铝工业陶瓷具有室温强度高、热膨胀系数小、抗熔融金属侵蚀的能力强、介电性能良好高密度,主要是无毒。完美用于大功率,多芯片组件等半导体器件和大功率,高亮度的LED基板及封装材料的关键材料,被认为是理想的基板材料,广泛应用于通讯器件、高亮度LED、电力电子器件等行业。下面科众陶瓷来好好讲讲氮化铝工业陶瓷


氮化铝工业陶瓷

氮化铝工业陶瓷


什么是氮化铝工业陶瓷?


氮化铝陶瓷是以氮化铝为主要晶相的陶瓷。它是一种综合性能优异的新型陶瓷材料,被认为是封装新一代半导体和电子器件的理想材料。氮化铝陶瓷具有优异的综合性能,理论热导率为320瓦/(米),优异的热导率,可靠的电绝缘性,低介电常数和损耗,无毒,热膨胀系数与硅匹配。


氮化铝工业陶瓷的优势是什么?


(1)氮化铝粉末纯度高、粒径小、活性高,是制造高导热氮化铝陶瓷基板的主要原料。

(2)氮化铝陶瓷基板具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐高温、耐化学腐蚀、高电阻率和低介电损耗,是大规模集成电路的理想散热基板和封装材料。


(3)氮化铝具有比传统氧化铝更高的硬度,是一种新型耐磨陶瓷材料。然而,由于其高成本,氮化铝只能用于严重磨损的零件。


(4)利用AIN陶瓷耐热耐熔体侵蚀和热震性,可制作GaAs晶体坩埚、Al蒸发皿、磁流体发电装置及高温透平机耐蚀部件,利用其光学性能可作红外线窗口。氮化铝薄膜可制成高频压电元件、超大规模集成电路基片等。


(5)氮化铝耐热,耐熔融金属腐蚀,对酸稳定,但在碱性溶液中容易腐蚀。当暴露在潮湿空气中时,AIN新生表面将反应形成极薄的氧化膜。利用这一特性,它可用作坩埚和铸模材料,用于熔化铝、铜、银、铅和其他金属。


作为高性能介电的氮化铝工业陶瓷,具有良好的金属化性能,氮化铝可以取代碳化硅,甚至部分取代氧化铝可替代电子工业中有毒的氧化铍陶瓷,被视为新一代很有发展前途的优良的基片材料。


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